固態(tài)硬盤一般壽命多長(zhǎng)
墨羽塵曦
固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(FLASH芯片)作為存儲(chǔ)介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。最新還有英特爾的XPoint顆粒技術(shù)。那么固態(tài)硬盤一般壽命多長(zhǎng)呢?
1、34nm的閃存芯片壽命約是5000次P/E,而25nm的壽命約是3000次P/E。
2、固態(tài)硬盤閃存具有擦寫次數(shù)限制的問題,所以說固態(tài)硬盤是有壽命限制的,當(dāng)然任何硬件產(chǎn)品都有這個(gè)壽命概念。
3、固態(tài)硬盤內(nèi)部閃存完全擦寫一次叫做1次P/E,因此閃存的壽命就以P/E作單位。
以上就是對(duì)于固態(tài)硬盤一般壽命多長(zhǎng)的相關(guān)內(nèi)容。